近日，在美國持續施壓對華禁運關鍵半導體技術的情況下，荷蘭政府正準備對半導體設備實施新的出口限制。荷蘭光刻機大廠ASML通過官網發布了《關于額外出口管制的聲明》，強調荷蘭政府的出口管制并不涉及所有浸沒式光刻設備，只涉及“最先進”設備。

　　業內人士表示，目前半導體設備行業空間廣闊，國產化進程有望加速推進。建議重點關注設備低國產化率環節的突破，檢測量測設備、涂膠顯影設備、PECVD設備等國產化率仍不足10%，海外多邊限制背景下國產替代訴求迫切，低國產化率環節有望迎來加速突破，給相關廠商該部分業務帶來強業績彈性。

　　事件驅動 荷蘭對光刻機出口進一步限制

　　3月8日，荷蘭宣布正式加入美國在半導體行業中對中國的限制行列，同時荷蘭光刻機大廠ASML通過官網發布了 《關于額外出口管制的聲明》，強調荷蘭政府的出口管制并不涉及所有浸沒式光刻設備，只涉及“最先進”設備。ASML將“最先進”設備定義為TWINSCANNXT：2000i及之后的浸沒式光刻系統。

　　根據ASML官網，TWINSCANNXT：1980Di是管制之外制程較為先進的光刻設備，可以滿足38nm以上的制程工藝，但實際理論上可以滿足14-28nm的工藝生產，只是步驟更為復雜，成本更高。對于國內的晶圓廠來說，如果在荷蘭的限制之外，仍然能夠采購到滿足14-28nm工藝的光刻機設備，那么國產線的推進仍舊可以繼續，晶圓廠的擴張有望重回正軌。

　　根據2022年財報，2022年公司共出貨345臺光刻系統，其中有81臺浸沒式DUV光刻機(ArFi)，占比為23%。所有產品中，29%銷往韓國，14%銷往中國，銷往美國的只有7%。出口受到限制，ASML收入或將受到干擾。

　　目前國內大部分產線不受荷蘭光刻機出口限制影響。在中國與ASML有直接供應關系的企業主要是芯片制造商，有中芯國際、華力半導體、長江存儲等中國企業，還有三星的西安工廠、臺積電南京廠、英特爾大連廠、無錫SK海力士廠等外資企業。根據公開報道，目前全國各地建設的半導體廠約有數百家，除了頭部的半導體廠，真正能用上浸潤式DUV的工廠并不多，整體的建設處于尚未形成規模效益的初期階段，月產能達到數十萬片晶圓的產線是非常少的。同時，這些產線不涉及先進芯片，主要用于生產技術相對成熟的芯片。

　　光刻機是制造芯片的核心裝備，制造難度極大，國產光刻機仍較為落后。目前高端光刻機制造領域，全球只有少數幾家公司能掌握。

　　事件解讀 半導體設備國產化亟待突破

　　光刻機是集成電路制造的核心設備之一，制造難度極高。光刻是決定集成電路集成度的核心工序，光刻即將電路圖形信息從掩模版上保真傳輸、轉印到半導體材料襯底上，其基本原理是，利用涂敷在襯底表面的光刻膠的光化學反應作用，記錄掩模版上的電路圖形，從而實現轉印的目的。

　　光刻機發展至今，經歷了5代產品的迭代，已從最初的g-line，i-line歷經KrF、ArF發展到了如今的EUV。全球TOP3光刻機廠商2021年銷量結構中，EUV、i-line、ArFi、KrF、ArF、設備分別占比9%、32%、18%、36%、5%。

　　從技術角度看，光刻機等半導體設備存在較高的技術壁壘。半導體設備是由成千上萬的零部件組成的復雜系統，將成千上萬的零部件有機組合在一起實現精細至nm級別的操作;保障設備在nm級別的操作基礎上的超高良率;保障設備在實現以上兩個要求的基礎上長時間穩定的運行。因此，半導體設備尤其是光刻機，與半導體先進制程的突破和良率的提升緊密相關，以光刻機為首的半導體設備國產化亟待突破。

　　目前，半導體設備整體國產化率整體僅15%左右，在新型舉國體制背景下，下游晶圓廠有望加速導入國產設備，有以成本和良率換國產化率的可能，因此國產化率存在潛在超預期機會。整體來看，即使今年國內資本開支受到外部設備管制的負面影響，但國產化率的加速提升有望對沖掉資本開支下行的負面影響，半導體設備廠商依然有望在今年迎來加速式成長。

　　2021年全球半導體市場規模達5950億美元，同比增長26.3%，未來5G及汽車電子化的發展，有望帶動半導體行業進入新的增長期，預計2026年全球半導體市場規模將達到7900億美元，維持6%左右的年均復合增速。晶圓制造材料包括硅片及硅材料、光掩膜、電子氣體、光刻膠及配套試劑、CMP拋光材料、工藝化學品及靶材等。從近幾年半導體材料、設備的需求占比來看，產業轉移確實能帶動本地配套需求的提升，我國半導體材料市場規模占全球的比重由2006年的6%提升到2020年的18%，半導體設備市場規模占全球比重也有望由2016年的16%提升到25%。內資晶圓廠的崛起將帶動國內半導體材料需求的提升，而高對外依存度將為國內半導體材料企業提供更為廣闊的發展空間。